Toshiba เปิดตัว MOSFET กำลังไฟฟ้า N-Channel 100V พร้อมเทคโนโลยีกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุด เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งโหมดสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–25 กันยายน 2025

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TPH2R70AR5” ซึ่งเป็น MOSFET กำลังไฟ 100V N-channel ที่ผลิตด้วย U-MOS11-H ซึ่งเป็นกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุดของ Toshiba^[1] โดย MOSFET ได้รับการออกแบบมาเพื่อการใช้งานที่หลากหลาย เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งโหมดสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร ซึ่งเริ่มจัดส่งได้แล้ววันนี้

Toshiba: TPH2R70AR5, MOSFET กำลังไฟฟ้า N-channel 100V พร้อมเทคโนโลยีกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุด

ซีรีส์ 100V U-MOS11-H ได้ปรับปรุงความต้านทานในการเปิดเดรน-ซอร์ส (R_DS(ON)) ประจุเกตรวม (Q_g) และการแลกเปลี่ยนระหว่างประจุทั้งสอง (R_DS(ON) × Q_g) ที่ได้รับจากกระบวนการผลิตที่มีอยู่ของ Toshiba โดยซีรีส์ U-MOSX-H จะช่วยลดการสูญเสียพลังงานทั้งจากการนำไฟฟ้าและการสวิตชิ่งไฟฟ้า

TPH2R70AR5 ให้ค่า R_DS(ON) ต่ำกว่าประมาณ 8% และ Q_g ต่ำกว่า 37% เมื่อเทียบกับ TPH3R10AQM ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ซีรีส์ U-MOSX-H รวมถึงการปรับปรุงค่า R_DS(ON) × Q_g ขึ้น 42% นอกจากนี้ยังมีประสิทธิภาพไดโอดแบบบอดี้ความเร็วสูงผ่านการใช้เทคโนโลยีการควบคุมตลอดอายุการใช้งาน^[2] ซึ่งช่วยลดประจุไฟฟ้ากู้คืนแบบย้อนกลับ (Q_rr) และลดแรงดันไฟฟ้าสไปค์ ค่า Q_rr ได้รับการปรับปรุงประมาณ 38% และค่า R_DS(ON) × Q_rr ก็ได้รับการปรับปรุงประมาณ 43% เช่นกัน^[3] คุณสมบัติการแลกเปลี่ยนที่เป็นผู้นำในอุตสาหกรรม^[4] ทั้ง R_DS(ON) × Q_g และ R_DS(ON) × Q_rr จะช่วยลดการสูญเสียพลังงาน และทำให้มีประสิทธิภาพและความหนาแน่นของพลังงานที่สูงขึ้นในระบบจ่ายไฟ นอกจากนี้ยังใช้แพ็กเกจ SOP Advance (N) และให้ความเข้ากันได้ดีเยี่ยมกับการติดตั้งตามมาตรฐานอุตสาหกรรม

Toshiba ยังมีเครื่องมือสนับสนุนการออกแบบวงจร ได้แก่ รุ่น G0 SPICE ซึ่งตรวจสอบการทำงานของวงจรได้ภายในระยะเวลาอันสั้น และรุ่น G2 SPICE ที่มีความแม่นยำสูงซึ่งจำลองลักษณะชั่วคราวได้อย่างแม่นยำ ขณะนี้มีวางจำหน่ายแล้วทั้งหมด

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ MOSFET ที่มีการสูญเสียต่ำ ซึ่งช่วยให้แหล่งจ่ายไฟมีประสิทธิภาพมากขึ้น และช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์

 หมายเหตุ:
 [1] ณ เดือนกันยายน 2025 ในบรรดาเทคโนโลยีกระบวนการผลิตของ Toshiba สำหรับ MOSFET กำลังไฟฟ้าแรงดันต่ำ จากข้อมูลผลสำรวจของ Toshiba
 [2] เทคโนโลยีการควบคุมตลอดอายุการใช้งาน: การลดอายุการใช้งานของพาหะโดยเจตนาโดยใช้ลำแสงไอออนเพื่อนำข้อบกพร่องเข้าสู่สารกึ่งตัวนำ ช่วยเพิ่มความเร็วในการสลับ ซึ่งช่วยเพิ่มความเร็วในการกู้คืนของไดโอดและลดสัญญาณรบกวน
 [3] ณ เดือนกันยายน 2025 การเปรียบเทียบกับมอสเฟตกำลังไฟฟ้า 100V N-channel อื่นๆ สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม จากข้อมูลผลสำรวจของ Toshiba
 [4] R_DS(ON) ×Q_g : 120mΩ・nC (ทั่วไป), R_DS(ON) ・Q_rr : 127mΩ×nC (ทั่วไป)

 การใช้งาน

• แหล่งจ่ายไฟสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
• แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมด (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง ฯลฯ)

 คุณสมบัติ

•  ความต้านทานต่อกระแสไฟเข้าที่ต่ำ: R_DS(ON) ＝2.7mΩ (สูงสุด) (V_GS =10V, I_D =50A, T_a ＝25°C)
•  ประจุเกตรวมต่ำ:: Q_g =52nC (ทั่วไป) (V_DD =50V, V_GS =10V, I_D =50A, T_a ＝25°C)
•  ประจุกู้คืนย้อนกลับต่ำ: Q_rr =55nC (ทั่วไป) (I_DR ＝50A, V_GS =0V, -dI_DR /dt=100A/μs, T_a ＝25°C)

 ข้อมูลจำเพาะหลัก

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH2R70AR5

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFET

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล SPICE ที่มีความแม่นยำสูง (โมเดล G2)
โมเดล G2

ตรวจสอบความพร้อมจำหน่ายผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ได้ที่:
TPH2R70AR5
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยมีพนักงานกว่า 19,400 คนทั่วโลกที่มีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนโดยทั่วไป

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html  

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย 

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250924029500/en 

Contacts

การสอบถามจากลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์กำลังและสัญญาณขนาดเล็ก
โทร.: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

การสอบถามจากสื่อ:
C. Nagasawa
ฝ่ายสื่อสารและข่าวกรองการตลาด
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation